而双视角叙事更是一大亮点，玩家将同步扮演两位身世、境遇天差地别的主角，络绎于两段既平行又彼此交织的主线故事之中，如此异样新颖的叙事风格，必然会为玩家缔造出绝无仅有的沉溺式游戏体会。
至于存储器交织处理是将存储器划分红多个BANK（一般为2个或4个BANK），如图：操控端可交织存取这些BANK的数据，举例来说，将保存于存储器的奇数地址和偶数地址分隔，当上一个字符被更新时，下一个字符的存取能够不受到影响，削减了等候的时刻，让存储器的存取更快，尽管不是2或4倍的速度，但仍是快了许多。因为电容的电压会有传输时的丢失以及保存时的漏电现象，所以除了在读取与写入时有必要通过扩大之外，每保存一位通过一段时刻就有必要将数据读出后再写入一次，这个动作称为DRAM的改写（Refresh），会下降运用功率。
如前面所述，DRAM在替换行地址时需有预充电时刻的天然生成妨碍，约束了涣散数据的随机存取速度，可是关于可预知下一笔数据地址的突发形式（BurstMode），SDRAM选用存储器交织处理（MemoryInterleaving）以及多管线（Multi-Pipeline）的技能，提高分配时刻内读写的信息量，改进了在突发形式下的存取时刻。SDRAM的诞生因为DRAM是以MOSFET为首要器材，电路中的杂散电容（StrayCapacitance）对存取时刻的影响很大，每替换一次行地址时，都有必要等候一段时刻让操控电路充电，数据的存取才会正确，此充电时刻称为预充电时刻（PrechageTime，TRP），如下图所示。因为在接连存取的运用中可到达与外部时钟同步的功率，故被称为同步动态随机存储器。
SRAMSRAM(StaticRAM)，全称为静态随机存取存储器，是一种在体系不断电的情况下能无限期坚持其内容的回忆设备。而多管线是指运用挑选器的原理将存储器多个区块的数据轮番传送至数据端，下图即说明晰一个SDRAM的存取时刻(tDS)大于外部一个时钟时刻(tCK)，但在多管线的架构下，外部仍可同步读取数据。
DRAMDRAM（DynamicRAM），动态随机存取存储器，与制造一个bit存储位一般需求6个MOS管的SRAM比较，保存一位数据简略到只需一个电容，其间一个存储器单元的结构如图所示。
比较下图中SDR与DDRSDRAM存取数据时序的差异，可知一个作业于64位/100MHz时钟下的DDRSDRAM，每秒数据的传输量为100Mx64bitx2/8bit=1600MB，而SDRSDRAM则仅为其一半800MB。由此看来，海博思创的快速兴起很大程度上获益于当时储能商场的高景气量，但背面的危险敞口也随之拉大。
在储能作为未来动力柱石的大趋势下，海博思创彻底有时机凭仗既有效果进一步发力，但条件是要补偿技能短板，加强海外拓宽并涣散商场危险，一起要操控好本钱与库存。招股书显现，海博思创在陈述期内曾被卷进多起质量胶葛诉讼，其间一同触及较大金额的火灾事端，尽管公司屡次声明并非设备自身问题，但诉讼没有彻底尘埃落定，这为商场留下幻想空间。
这其间天然离不开企业在储能技能上的堆集和商场话语权，也与监管层对新式储能范畴的审慎支撑有关。假如海博思创不能在这个关节点上有所强化，一旦商场竞赛进入后半程，贱价战略恐难以支撑长时间的差异化优势。